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| ITO濺射鍍膜機工作原理？ |
| 發布時間：2014-07-31 瀏覽： 次 |
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目前認為濺射現象是彈性碰撞的直接結果，濺射完全是動能的交換過程。 當正離子轟擊陰極靶，入射離子最初撞擊靶表面上的原子時，產生彈性碰撞，它直接將其動能傳遞給靶表面上的某個原子或分子，該表面原子獲得動能再向靶內部原子傳遞，經過一系列的級聯碰撞過程，當其中某一個原子或分子獲得指向靶表面外的動量，并且具有了克服表面勢壘(結合能)的能量，它就可以脫離附近其它原子或分子的束縛，逸出靶面而成為濺射原子。 由此可見，濺射過程即為入射離子通過一系列碰撞進行能量交換的過程，入射離子轉移到逸出的濺射原子上的能量大約只有原來能量的1%，大部分能量則通過級聯碰撞而消耗在靶的表面層中，并轉化為晶格的振動。濺射原子大多數來自靶表面零點幾納米的淺表層，可以認為靶材濺射時原子是從表面開始剝離的。 如果轟擊離子的能量不足，則只能使靶材表面的原子發生振動而不產生濺射。如果轟擊離子能量很高時，濺射的原子數與轟擊離子數之比值將減小，這是因為轟擊離子能量過高而發生離子注入現象的緣故。 銦錫氧化物( Indium Tin Oxide ,簡稱ITO) 薄膜是一種用途廣泛的透明導電材料,已成熟的應用于電機車擋風玻璃、液晶顯示器件、太陽能電池、全息照相和液晶彩色電視等,蓄勢待發的應用領域為有機發光二極管顯示器(Organic Light-Emitting Diode ,簡稱OLED) 。 從應用角度出發,通常要求ITO 薄膜的成份是In2O3 和SnO2 ,薄膜中銦錫低價化合物愈少愈好。 ITO 薄膜的制備方法很多,如噴涂、蒸發、射頻濺射和磁控濺射等。隨著液晶顯示器技術向高精細化和大型化發展,磁控濺射法備受歡迎。 ITO 薄膜的磁控濺射靶主要分為InSn 合金靶、In2O3-SnO2 陶瓷靶兩類。在用合金靶制備ITO 薄膜時,由于濺射過程中作為反應氣體的氧會和靶發生很強的電化學反應,靶面覆蓋一層化合物,使濺射蝕損區域縮得很小(俗稱“靶中毒”) ,以至很難用直流濺射的方法穩定地制備出優質的ITO 膜。 也就是說,采用合金靶磁控濺射時,工藝參數的窗口很窄且極不穩定。陶瓷靶因能抑制濺射過程中氧的選擇性濺射,能穩定地將金屬銦和錫與氧的反應物按所需的化學配比穩定地成膜,故無中毒現象,工藝窗口寬,穩定性好。 但這不等于說陶瓷靶解決了所有的問題,其薄膜光電性能仍然受制于基底溫度、濺射電壓、氧含量等主要工藝參數的影響,不同工藝制備出的ITO 薄膜的光電性能相差甚遠。因此,開展ITO陶瓷靶磁控濺射工藝參數的優化研究很有意義。 1、關鍵工藝參數的優化 關鍵工藝參數的優化基于實驗探索。實驗是在自制的雙室直流磁控濺射鍍膜設備上進行的。該設備的鍍膜室采用內腔尺寸為6700mm ×800mm ×2060mm的箱式形狀,抽氣系統采用兩套K600 擴散泵機組,靶材采用德國Leybold 公司生產的陶瓷靶,ITO 薄膜基底是尺寸為1000mm ×500mm ×5mm 的普通浮法玻璃。 結果表明:隨著基底溫度的升高,表面電阻迅速降低,可見光透過率和紅外反射率都有明顯提高,但存在一個295 ℃的最佳點。高于此點后,表面電阻略有升高,可見光透過率和紅外反射率略有下降。 由于高的基底溫度改善了膜的結晶,減少了晶界,使膜的遷移率和Sn4 + 載流子密度有所提高,從而降低了表面電阻,同時載流子密度的提高減少了黑色InO 的生成,提高了可見光透過率。 紅外光的能量較小,不易產生內光電效應,但通過禁帶寬度的速度也低于可見光,載流子密度的增加會使其反射變得更加顯著。 我們采用的是普通玻璃基底,沒有SiO2 阻擋層,當溫度高于最佳點后,玻璃中的鈉離子會擴散到ITO 膜中,形成雜散離子和色心,從而影響薄膜的光電性能。不同的設備和工藝參數組合有不同的最佳溫度點。 1.2、濺射電壓的實驗結果與分析 在常規的直流磁控濺射中,濺射電壓一般加到- 400V～ - 500V 左右。這時由于等離子體中負離子(主要是氧離子) 入射到玻璃基底表面上的能量可達到400eV～500eV ,這將使ITO 膜受負離子轟擊而產生損傷。損傷過程為 In2O3 →InO + O 所生成的InO 是一種黑色的具有絕緣性質的低價氧化物,它導致ITO 膜載流子密度的減少,增大電阻率。低壓濺射可以減輕這種損傷,增加載流子密度,減少InO 的生成,降低電阻率。 根據Drude 理論,反射的極限波長可用下式來估算: λ= C( mπ/ Ne2) 1/ 2 其中C 是光速, e 是電子電荷, m 是電子有效質量,N 是載流子密度。 顯然,λ與N 成反比,不難理解低壓濺射可使紅外反射范圍明顯向短波方向擴展。至于可見光透過范圍也呈向短波方向擴展的現象,可能是由于低壓濺射增加了載流子密度,減少了黑色InO 的生成,據Brustein-Moss 的能帶理論 ,短波側的透過率有所提高所致。 1.3、氧含量的實驗結果與分析 由于ITO 薄膜的導電屬于n 型半導體性質,即其導電機制為還原態In2O3 放出兩個電子,成為氧空穴載流子和In3 + ,被固溶的四價摻錫置換后放出一個電子成為電子載流子。顯然,不論哪一種導電機制,載流子密度均與濺射成膜時的氧含量有很大關系。 隨著氧含量的增加,當膜的組分接近化學配比時,遷移率有所增加,但卻使載流子密度有所減少。這兩種效應的綜合結果是膜的光電性能隨氧含量的變化呈極值現象。 對應極值的氧含量直接決定著“工藝窗口”的寬窄,它與成膜時的基底溫度、氬氣流量及膜的沉積速率等參數有關。為便于精確控制氧含量,我們采用混合比為85∶15 的氬氧混合氣代替純氧,氣體噴孔的設計保證了基底各處氧分子流場的均勻性。 1. 4 、ITO 薄膜的最佳直流磁控濺射工藝 基于上述三個關鍵工藝參數的優化結果,直流磁控濺射鍍制ITO 薄膜時,我們選定的最佳工藝參數如下:濺射電壓為250V ,基底加熱溫度為295 ℃,氧分壓占鍍膜室總壓力的8 %。 在尺寸為1000mm×500mm ×5mm 的普通浮法玻璃基底上,制備出了光電性能最佳的ITO 薄膜,如圖7 所示,其可見光透過率全部超過了80 % , 在463.75nm 處達到87.94 % ,其表面電阻為18Ω。 相關閱讀 |
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