技術(shù)中心
| PVD混運(yùn)技術(shù)分析知識(shí) |
| 發(fā)布時(shí)間：2014-09-02 瀏覽： 次 |
|
真空蒸鍍、濺射鍍膜、離子鍍膜各種沉積手段及方法混合運(yùn)用是PVD技術(shù)最新進(jìn)展之一，經(jīng)過(guò)多種離子源的組合運(yùn)用，可以解決單一沉積手段的缺點(diǎn)，獲得良好的效果，比如離子鍍，采用脈沖激光作為蒸發(fā)源，然后對(duì)蒸汽進(jìn)行等離子體化，加上負(fù)偏壓，不但可以提高沉積速率，還可以改善沉積粒子的活性，提高沉積能量。 在蒸鍍中，采用熱絲電子發(fā)射，使蒸汽原子離化，就可以對(duì)基片加上偏壓，獲得具有轟擊效果的沉積膜層。 真空陰極電弧和磁控濺射技術(shù)組合在一起進(jìn)行同時(shí)沉積的技術(shù)，也是近年來(lái)應(yīng)用工業(yè)生產(chǎn)中的一種復(fù)合技術(shù)，其設(shè)備稱為多弧一磁控濺射多功能鍍膜機(jī)，其原理示意圖如圖1所示，用于離子摻金鍍膜。 真空鍍膜室內(nèi)安裝數(shù)個(gè)陰極蒸發(fā)源，陰極為鈦或鋯，中間裝有柱狀磁控濺射靶，靶材為金。 首先按照多弧離子鍍的工藝參數(shù)和操作規(guī)程在鍍件上沉積TiN(或ZrN)鍍層，再開(kāi)啟磁控濺射靶涂鍍(TiAu)N涂層，從而得到TiN +(TiAu)N的復(fù)合膜。 最后關(guān)閉多弧蒸發(fā)源的供電電源，使多弧蒸發(fā)源停止工作，只用磁控濺射法在被鍍件表面的最外一層沉積Au，則可得到TiN十(TiAu)N+ Au的多層復(fù)合膜。 摻金后的被鍍件經(jīng)過(guò)耐腐蝕性和耐磨性試驗(yàn)和測(cè)試，膜仍保持完整，膜層成分在摩擦前后基本保持一致：摩擦前Au為97.59%，Ti為2.41 %，摩擦后Au為95.46%，Ti為4.54%。 摩擦條件是在1000g載荷下，在ML-10磨損試驗(yàn)機(jī)上摩擦，往復(fù)次數(shù)為500次，摩擦蹤距離為9.42km。 在多弧一磁控濺射多功能鍍膜機(jī)的基礎(chǔ)上又研制出復(fù)合式離子鍍膜設(shè)備。 復(fù)合式離子鍍膜設(shè)備采用孿生靶的先進(jìn)技術(shù)，克服直流濺射固有的靶中毒、打火等不良弊病，可以鍍制諸如A1203、Si02氧化優(yōu)質(zhì)膜，使鍍件的抗氧化耐蝕性能又有所提高和改善。 復(fù)合式真空離子鍍膜設(shè)備，中心安裝柱狀多弧靶，靶材為鈦或鋯。 它不但能保持多弧技術(shù)離化率高、沉積速率快的特點(diǎn)，還能有效地降低小平面多弧靶沉積過(guò)程中很難避免的“液滴”的缺陷，從而可以制備出低孔隙率的金屬薄膜或化合物薄膜;在周邊安裝了孿生平面磁控，靶材為鋁或硅，可以鍍A1203或Si02金屬陶瓷膜;另外，在周邊還安裝了多個(gè)小平面多弧蒸發(fā)源，靶材為鉻或鎳，可以鍍制多層金屬膜和多層復(fù)合膜。 復(fù)合式離子鍍膜設(shè)備由于具有多種不同形式鍍膜裝置及不同材質(zhì)的蒸發(fā)源及濺射靶，它們既可以獨(dú)立地分別工作又可以同時(shí)工作，既能制備純金屬膜又能制備金屬化合物膜或復(fù)合材料膜;既能制備單層薄膜又能制備多層復(fù)合膜，用途極其廣泛。 本文由Polycold維修專業(yè)人員收集整理，我公司專業(yè)維修各種進(jìn)口真空系統(tǒng)，歡迎來(lái)電咨詢 |
  |