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真空鍍鋁技術分析及故障排除
發布時間:2014-09-04 瀏覽:  次

  1.鍍鋁層陽極氧化故障的排除

  氧化層表面有點狀痕跡

  (1)預熔時電流過高或未加擋板。應適當降低預熔電流及加設擋板。

  (2)蒸發電流過高。應適當降低

  氧化層表面有流痕印跡

  (1)鍍件表面清潔不良。應加強清潔處理。

  (2)擦拭鍍件時蘸用乙醇過多。應減少乙醇的蘸用量。

  (3)手指接觸鍍件表面后留下指印。應禁止手指接觸鍍件表面。

  (4)唾液噴濺到鍍件表面,使鍍層表面產生圈狀印跡。操作者應帶上口罩

  氧化層表面有灰點

  (1)真空室底盤或室壁太臟。應使用乙醇擦拭干凈。

  (2)夾具太臟。應按工藝規程定期清洗夾具

  氧化層表面發紅

  (1)陽極氧化電壓偏低,氧化層厚度不夠。應將電壓提高到120V左右。

  (2)氧化時間太短,導致陽極氧化后表面發紅。應適當延長氧化時間

  氧化層表面發花

  (1)氧化電壓太高,氧化層部分發藍。應適當降低電壓。

  (2)各氧化點的電壓或氧化時間不相同。應使各氧化點的電壓和氧化時間保持一致。

  (3)電解液溫度太高。應適當降低

  氧化層表面發黃

  (1)氧化電壓太高,氧化層太厚。應適當降低電壓。

  (2)氧化時間太長。應適當縮短。

  (3)氧化點太多。應適當減少

  氧化層表面有灰白細點

  (1)溶液中鋁含量增加。應更換部分溶液。

  (2)電解液溫度太高。應適當降低。

  (3)鍍件水洗不足,表面殘留電解液,在水分或潮濕氣體作用下形成灰白色的氫氧化鋁細

  點。應將氧化后的鍍件表面用蒸餾水洗凈電解液,然后擦干,最好是將氧化后的鍍件擦干后

  放人無水乙醇中浸1-2h,然后加溫到12.0~C保溫數小時

  氧化后鍍層起泡脫落

  (1)鍍件表面油a8未除凈。應加強脫脂處理。

  (2>真空度太低。應適當提高蒸發時的真空度。由于鋁是易氧化的金屬,又容易吸收氧,

  在低真空度下蒸發,會因吸收剩余氣體而形成茶褐色的氧化膜,導致反射率降低,鍍層易起泡

  脫落。通常預熔的真空度為0.067Pa;蒸鍍裝飾性的鋁膜,蒸發時的真空度可適當低一些,一

  般和預熔的真空度相同;蒸鍍質量要求高的鋁膜,真空度應當高一些,一般為(4—6.7)x10”

  h。

  (3)鍍件表面有異物附著。可實施離子轟擊。一般蒸鍍鋁膜時進行離子轟擊的工藝條件

  為:電壓2—3kV;電流60—140mA;時間5—30min

  氧化后鍍層露底

  鍍鋁層太薄。應適當延長蒸鍍時間,增加膜層厚度。通常,鋁膜厚度為(5—20)xlo—3mm,

  控制其厚度主要采用計時法,亦可根據膜層的透光程度來判斷膜厚,這些方法都需要操作人

  員具有豐富的實踐經驗才能控制,但對裝飾鍍層用上述方法已足可滿足要求

  氧化層厚度不足

  (1)電解時間太短。應適當延長。

  (2)氧化電壓偏低。應適當提高。

  (3)接觸不良。應改進接觸方式,陽極(鎳針)與鍍件表面鋁層必須接觸良好。

  (4)接觸點的數量不夠。應增加接觸點。對于面積較大的鍍件,應在120~的分度線上設三個氧化點。

  (5)電解液溫度偏高。應適當降低。

  (6)接觸點被擊穿。應變換接觸點

  氧化層表面有針孔

  (1)鍍鋁層太薄。應適當延長蒸發時間。

  (2)靜電除塵不徹底。應嚴格按照工藝要求進行靜電除塵。

  (3)離子轟擊電流太大,時間太長。應適當減小離子轟擊電流,一般60—140mA。離子轟擊

  規范應視鍍件材質的耐熱程度來調整,以防鍍件變形。

  (4)真空室和夾具太臟。應定期清潔真空室和夾具

  氧化層脫邊

  (1)鍍件邊緣清潔不良,有拋光粉、汗漬和污物等。應加強鍍件邊緣的清潔,擦拭時應帶上

  工作手套。

  (2)夾具不清潔。應徹底清潔夾具,特別應注意清潔夾具與鍍件邊緣接觸的部位

  氧化層耐磨和耐蝕性能不良

  (1)電解液溫度偏高。應適當降低。

  (2)氧化電壓偏低。應適當提高。

  (3)電解時間太長。應適當縮短。

  (4)電解液濃度過高。應適當降低。

  (5)鍍鋁層被污染。應防止鍍件污染

  氧化電壓升不高

  (1)接觸點被擊穿。應變換接觸點。

  (2)電解液濃度不正常。應調整電解液濃度。

  (3)接觸點接觸不良。應改進接觸方式

  接觸點燒焦

  (1)鍍件與夾具接觸不良。應改善接觸條件,使其導電性能良好。

  (2)氧化電壓過高。應適當降低。

  (3)電解液濃度不正常。應按配方進行調整

  2.鍍鋁層表面蒸鍍一氧化硅保護膜故障的排除

  鍍鋁層表面呈藍灰色

  (1)鍍鋁層偏厚。應適當縮短蒸鍍時間。

  (2)真空度太低。應適當提高蒸發時的真空度。

  (3)蒸發速度太慢。應將蒸發速度提高至3x10—3mnl~$。

  (4)蒸發源上無鋁,仍繼續加熱。應補加鋁絲或鋁箔。

  (5)蒸發源上鋁材的純度太低。應使用純度為99.9%—99.99%的鋁絲或鋁箔

  膜層表面發紅

  一氧化硅鍍膜太薄。應適當延長蒸鍍時間

  膜層表面開裂

  (1)一氧化硅的蒸發速度太快。應適當減慢。

  (2)一氧化硅鍍膜太厚。應適當減少蒸發時間。一般鍍膜厚度為波長l的一半為宜。精密

  控制膜層厚度需用光電膜厚控制儀,簡單的方法亦可采用目測。目測法是根據表面的干涉色

  隨厚度增厚而變化的規律米控制膜厚,其表面顏色的變化規律為:黃一紅一紫一綠一黃一紅。

  在蒸鍍時,若觀察到第二次干涉色為黃色或紅色時,立即停止蒸發,即可獲得適宜的膜厚。

  (3)鍍后熱處理工藝條件控制不當。應按緩慢升溫和降溫的要求進行烘烤處理

  膜層不耐磨

  (1)一氧化硅鍍膜太薄。應適當延長一氧化硅膜的蒸發時間。

  (2)鍍后熱處理工藝控制不當。應按工藝規程進行烘烤

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