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　　一般把反應物是氣態(tài)而生成物之一的固態(tài)的反應稱為CVD反應,CVD技術(shù)原理是建立在化學反應基礎上的。

　　目前常用的CVD沉積反應一般有以下幾種原理。

　　1、熱分解反應

　　2、氫還原反應

　　3、置換或合成反應

　　4、化學輸運反應

　　5、固相擴散反應

　　CVD技術(shù)的優(yōu)點主要包括以下幾個方面：

　　1、應用范圍廣

　　2、成膜速度快

　　3、工作是在低真空條件下進行的，因此鍍膜的繞射性好，在形狀復雜，如有深孔，細孔的工件上都能均勻鍍膜。

　　4、由于反應氣體、反應產(chǎn)物和基片的相互擴散，可以得到附著強度好的鍍膜，這對于制備耐磨、抗腐蝕等表面強化膜是很重要的。

　　5、由于薄膜生長的溫度比膜材的熔點低得多，因此能得到高純度、結(jié)晶完全的膜層，這是某些半導體用鍍層所必需的。膜層純度高，結(jié)晶完全是由于低溫生長，反應氣體和反應器壁以及其中所含不純物幾乎不發(fā)生反應，對膜層玷污少等原因所致。

　　6、CVD可以獲得平滑的沉積表面。在沉積過程中成核率高，成核密度大，在整個平面上分布均勻，從而可產(chǎn)生宏觀平滑的表面。

　　7、輻射損傷低，這是制造MOS(金屬氧化物半導體)等器件不可缺少的條件。

　　CVD技術(shù)的一些缺點主要有：

　　1、有時參加沉積的反應物及反應后的氣體易燃、易爆、有毒或具有腐蝕性，因此需要采取預防措施。2、欲對基材 局部或某個表面沉積薄膜很困難，3、反應溫度高，一般為1000攝氏度左右。

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