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| 氧化釩鍍膜薄膜技術(shù) |
| 發(fā)布時(shí)間：2015-01-06 瀏覽： 次 |
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氧化釩薄膜及其在微電子和光電范疇在的使用已成為國(guó)際上新穎功用資料研討熱門之一。 因氧化釩薄膜具有高的電阻文檔系數(shù)(TCR)值，其阻值隨入射輻射導(dǎo)致的溫升有十分活絡(luò)的改動(dòng)，微測(cè)輻射熱計(jì)正是利用了這一特性，因而氧化釩薄膜在紅外勘探和紅外成像方面具有廣泛的使用遠(yuǎn)景。 因而，優(yōu)化技術(shù)參數(shù)制備出高功能的氧化釩薄膜是亟待解決的課題。本論文在低溫下以高純金屬釩作靶材，用直流磁控濺射的辦法制備出了氧化釩薄膜。 經(jīng)過規(guī)劃正交試驗(yàn)，系統(tǒng)剖析了氬氣和氧氣的流量比，濺射功率，作業(yè)壓強(qiáng)，基地溫度對(duì)氧化釩薄膜TCR的影響，取得了這四個(gè)要素對(duì)TCR值遍及趨勢(shì)。試驗(yàn)結(jié)果標(biāo)明：當(dāng)Ar與O2的份額為100：4，功率為120W，作業(yè)壓強(qiáng)為2Pa時(shí)，所取得薄膜TCR值遍及較大。 因?yàn)闊崽幚砟軌蛳∧ぴ诔良胚^程中發(fā)生的內(nèi)應(yīng)力，完成晶體結(jié)構(gòu)的重構(gòu)，然后改進(jìn)薄膜機(jī)械、晶體結(jié)構(gòu)和電學(xué)功能等多方面功能。試驗(yàn)系統(tǒng)研討了熱處理溫度和熱處理時(shí)刻對(duì)薄膜功能的影響。 退火溫度和退火時(shí)刻對(duì)氧化釩薄膜TCR有重要影響，得到了氧化釩薄膜退火后TCR與退火時(shí)刻和退火溫度的聯(lián)系曲線。 結(jié)果標(biāo)明，氧化釩薄膜的TCR值經(jīng)熱處理都在-2%/K鄰近，最高的可達(dá)-3.6%/K。 運(yùn)用掃描電子顯微鏡(SEM)和X射線能譜儀(XPS)對(duì)熱處理后薄膜進(jìn)行了進(jìn)一步的剖析，研討標(biāo)明選用直流磁控濺射制備辦法和熱處理能夠制備出氧化釩薄膜，晶粒尺度在納米數(shù)量級(jí)。 運(yùn)用XPS剖析薄膜成分，發(fā)現(xiàn)Ar和02份額是影響氧化釩薄膜成分的最主要要素。
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